产品特点
• 50mW输出功率，1020-1120nm波长范围的单模光纤
• 可选的监视光电二极管
• 可选集成光隔离器（OI)
• 无模式跳数连续调谐(选择光隔离器)
• 专有的镜面涂层技术，可靠性高
• 独立老化和热敏循环筛选
• RoHS认证
• 光谱合成用种子源
主要参数
Parameters | Symb. | Min. | Typ. | Max. | Unit |
Operating Power | Pout | 50 |
|
| mW |
Operating Current | Iop |
| 150 | 220 | mA |
Operating Voltage | Vop |
| 1.7 | 3.5 | V |
Kink-free output power* |
| 1.1×Pout | 1.3×Pout |
| mW |
Range of available wavelength | λ | 1020 |
| 1120 | nm |
Mean wavelength tolerance |
|
|
| 1 | nm |
Linewidth at Pout | Δλ |
|
| 5 | MHz |
Wavelength temperature tunability | Δλ/ΔT |
| 90 | 110 | pm/°C |
Wavelength current tunability | Δλ/ΔI |
| 4 | 6 | pm/mA |
Sidemode suppression ratio | SMSR | 45 |
|
| dB |
Threshold current | Ith |
| 25 | 50 | mA |
Polarization Extinction Ratio | PER | 15 |
|
| dB |
测试条件：连续波工作，芯片温度25℃，安装在常温散热片上。 /∆I > 0 (∆I=1mA) |
绝对最大额定参数 |
参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
激光二极管反向电压 | - | 2 | V |
激光二极管连续波正向电流 | - | Iop+50 | mA |
热电冷却电流 | - | 3 | A |
热电冷却电压 | - | 4 | V |
光纤弯曲半径 | - | 3 | cm |
芯片操作温度范围 | 5 | 45 | °C |
外壳操作温度范围 | 0 | 70 | °C |
储存温度范围 | -40 | 85 | °C |
